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modifications
m (→Flash-NAND) |
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Ligne 170 : | Ligne 170 : | ||
=== Flash-NAND === | === Flash-NAND === | ||
La NAND utilisée est une NAND de 100 Mo de chez Micron, et non pas de chez Samsung comme sur les modèles de production. | La NAND utilisée est une NAND de 100 Mo de chez Micron, et non pas de chez Samsung comme sur les modèles de production. | ||
=== SDRAM === | |||
La RAM utilisée n'est que de 32 Mo, il ne reste plus que 14 Mo de libre au démarrage de l'OS. | |||
C'est donc assez facilement saturable, comme sur TI-Nspire CM-C. | |||
=== Boitier === | === Boitier === | ||
Le boitier est entièrement luisant et lisse, il n'a pas la finition des modèles de production. | Le boitier est entièrement luisant et lisse, il n'a pas la finition des modèles de production. |